Intel thúc đẩy nhiều cải tiến để làm mát chip thế hệ tiếp theo với công suất lên tới 2000W
Theo trang web chính thức của Intel, các nhà nghiên cứu của Intel đang khám phá các giải pháp mới để làm mát các chip thế hệ tiếp theo có công suất lên tới 2000W. Intel cho biết họ sẽ giải quyết các thách thức về nhiệt của chip thế hệ tiếp theo thông qua “các vật liệu mới và cải tiến về cấu trúc”.
Các giải pháp này bao gồm từ những cải tiến về buồng hơi 3D (bộ tản nhiệt buồng hơi) và làm mát bằng chất lỏng phản lực cho đến các thiết kế tối ưu liên quan đến làm mát ngâm.
Intel có kế hoạch tăng cường mật độ điểm tạo mầm trong làm mát hai pha thông qua lớp phủ sôi cải tiến, cải thiện khả năng sôi mầm của chất lỏng làm việc trong buồng hơi và giảm khả năng cản nhiệt tiếp xúc. Đi xa hơn, các nhà nghiên cứu có kế hoạch mở rộng đáng kể phạm vi ứng dụng của buồng hơi 3D có khả năng chịu nhiệt cực thấp này.
Sau nhiều năm khám phá ứng dụng, Intel tin rằng tản nhiệt bằng chất lỏng ngâm là một giải pháp làm mát tuyệt vời, thân thiện với môi trường và có hàm lượng carbon thấp. Intel đang hợp tác với các nhà cung cấp công nghiệp làm mát bằng chất lỏng để đổi mới thiết kế làm mát nhúng.
Có một số nghiên cứu cho thấy tản nhiệt hình san hô với đặc điểm giống rãnh bên trong có tiềm năng hệ số truyền nhiệt bên ngoài cao nhất trong làm mát ngâm hai pha. Intel dự kiến sử dụng công nghệ sản xuất bồi đắp (AM) để hiện thực hóa các bộ tản nhiệt hình san hô và hình dung việc tích hợp các khoang buồng hơi 3D vào các bộ tản nhiệt làm mát chìm này để cải thiện khả năng truyền nhiệt.
Ngoài ra, các nhà nghiên cứu của Intel cũng đang tìm cách cải tiến mảng phản lực vi lỏng để làm mát các chip công suất cao. Họ hình dung ra một vòi phun chất lỏng có thể được tích hợp với nắp gói chip tiêu chuẩn, với các tia làm mát do AI điều chỉnh phun trực tiếp lên bề mặt chip, loại bỏ vật liệu giao tiếp nhiệt và giảm khả năng cản nhiệt.
Intel cho biết khi các mô-đun nhiều chip ngày càng khó làm mát, công nghệ này có thể được tùy chỉnh cho từng cấu trúc, nhắm mục tiêu hiệu quả vào các điểm nóng để làm mát, cho phép bộ xử lý chạy ở nhiệt độ thấp hơn và hoạt động ở cùng mức công suất. Tăng từ 5% đến 7%.
