Công nghệ làm mát pin MTB
Tên tiếng Anh đầy đủ của MTB là Module to Bracket, nghĩa là mô-đun này được tích hợp trực tiếp vào khung đỡ/khung xe. Tương tự như ý tưởng của CTP (Cell to Pack) và CTC (Cell to Chassis) của Kỷ nguyên Ningde, MTB cũng cải thiện mật độ năng lượng bằng cách cải thiện việc sử dụng không gian. Công nghệ này trực tiếp chỉ ra hai điểm yếu chính của quá trình điện khí hóa xe tải hạng nặng và máy móc xây dựng - dung lượng pin hạn chế và các tình huống ứng dụng phức tạp và khắc nghiệt.
Theo giới thiệu của Ningde Times, so với chế độ gói pin + khung/khung gầm truyền thống, tỷ lệ sử dụng khối lượng hệ thống dưới sự hỗ trợ của công nghệ này đã tăng 40% và trọng lượng giảm 10%; Thông qua việc áp dụng công nghệ nhiệt làm mát bằng nước hình chữ U, hệ thống pin có tuổi thọ gấp 10000 lần, gấp hơn hai lần so với các sản phẩm cùng loại; Có thể cấu hình từ 140 KWh đến 600 KWh và mật độ năng lượng của hệ thống là 305 Wh/L và 170 Wh/kg, đáp ứng nhu cầu sử dụng khác nhau; Công nghệ này giúp cho việc thiết kế khung thấp trở nên khả thi, trọng tâm xe giảm 21%; Nó có thể được sử dụng trong khoảng từ - 35 độ C đến 65 độ C.
Công nghệ quản lý nhiệt có liên quan chặt chẽ đến hiệu suất chính của pin như độ bền, sạc nhanh, an toàn, tuổi thọ và hiệu quả. Cả sơ đồ MTB và CTP3.0 Pin Kirin do Ningde Times phát hành trước đây đều áp dụng công nghệ làm mát bằng chất lỏng. Sự đổi mới của tấm làm mát chất lỏng hình chữ U là điểm nổi bật của giải pháp MTB này. So với công nghệ làm mát bề mặt lớn của pin Kirin, chìa khóa để hình thành tấm làm mát chất lỏng hình chữ U là máy ép nóng.
Hiện nay, tấm làm mát bằng chất lỏng là thành phần cốt lõi của hệ thống quản lý nhiệt. Hệ thống làm mát bằng chất lỏng là nền tảng cho sự an toàn và ổn định của các phương tiện sử dụng năng lượng mới cũng như hiện thực hóa việc sạc và xả năng lượng cao của lõi điện. Trong tương lai, độ bền lâu dài và khả năng sạc cực nhanh sẽ đặt ra yêu cầu cao hơn đối với hệ thống quản lý nhiệt lõi điện và mức tiêu thụ tấm lạnh lỏng tương ứng dự kiến sẽ tiếp tục tăng.
